晶越半导体申请碳化硅升华法晶体生长调控方法、装置及电子设备专利，显著提升晶体质量与生长一致性

国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅升华法晶体的生长调控方法、装置及电子设备”的专利，公开号CN121065816A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本说明书实施例公开了一种碳化硅升华法晶体的生长调控方法、装置及电子设备。该方法包括获取碳化硅晶体的参数数据，以根据参数数据模拟碳化硅晶体对应的物理场数据；基于物理场数据，确定碳化硅晶体的当前生长阶段，并确定当前生长阶段对应的第一预测模型；以参数数据为输入数据，由第一预测模型输出晶体质量数据；以及响应于晶体质量数据中存在任一项目标晶体质量数据低于当前生长阶段对应的质量阈值，查询最优参数，以将参数数据调整为最优参数。在本实施例中，可以在生长过程中根据异常的目标晶体质量数据及时查询相应的最优参数进行优化调整，显著提升晶体质量与生长一致性，生长稳定性更好，良品率更高。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可7个。

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