首芯半导体取得半导体沉积腔室及设备专利，提高半导体沉积设备实用性

国家知识产权局信息显示，江苏首芯半导体科技有限公司取得一项名为“半导体沉积腔室及半导体沉积设备”的专利，授权公告号CN223738133U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本实用新型实施例涉及半导体沉积领域，提供一种半导体沉积腔室及半导体沉积设备，半导体沉积腔室包括：抽气环部件，抽气环部件位于空腔内，抽气环部件包括：径向分布的第一抽气环以及第二抽气环，第二抽气环位于壳体与第一抽气环之间；其中，第一抽气环具有第一孔洞，第二抽气环具有第二孔洞，第一孔洞的第一孔径小于第二孔洞的第二孔径；第一移动部件，第一移动部件与第一抽气环连接，第一移动部件用于使第一抽气环沿竖直方向上下移动；第二移动部件，第二移动部件与第二抽气环连接，第二移动部件用于使第二抽气环沿竖直方向上下移动。本实用新型实施例提供的半导体沉积腔室及半导体沉积设备至少可以提高半导体沉积设备的实用性。

天眼查资料显示，江苏首芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1433.9071万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏首芯半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可22个。

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