济南晶正电子申请复合薄膜及其制备方法专利，能够使薄膜界面质量提升

国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“一种复合薄膜、制备方法及其应用”的专利，公开号CN121228355A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种复合薄膜、制备方法及其应用，涉及半导体材料领域；所述复合薄膜包括衬底层和VTE铌酸锂层；所述VTE铌酸锂层的锂铌原子比为≥0.96:1；所述复合薄膜能够使薄膜界面质量提升，消除了薄膜微裂纹与界面缺陷，并且具有稳定的化学计量比，均匀性较高。

天眼查资料显示，济南晶正电子科技有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2934.7324万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶正电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目98次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息212条，此外企业还拥有行政许可22个。

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