全芯智造申请半导体器件仿真方法专利，有效提升了离子注入仿真性能

国家知识产权局信息显示，全芯智造技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件的仿真方法、电子设备和计算机可读存储介质”的专利，公开号CN121279043A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开涉及一种用于半导体器件的仿真方法、电子设备和计算机可读存储介质。方法包括：基于网格化的半导体器件的网格数据构建多叉树结构，多叉树结构至少包括一个根节点、多个层、以及多个叶节点，每个叶节点表示网格化的半导体器件中多个多面体中一个相应的多面体；响应于确定粒子在半导体器件内的第一空间位置，基于每个叶节点与相应的多面体的对应关系，确定从根节点至多个叶节点中的第一叶节点的第一搜索路径；以及响应于粒子从第一空间位置移动至半导体器件内的第二空间位置，基于第一搜索路径在多叉树结构中确定第二搜索路径，以确定表示第二空间位置所在的多面体的第二叶节点。该方法有效提升了离子注入仿真性能。

天眼查资料显示，全芯智造技术股份有限公司，成立于2019年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，全芯智造技术股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息198条，专利信息230条，此外企业还拥有行政许可5个。

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