国电投核力创芯申请晶圆离子注入终端装置专利，满足晶圆离子注入工艺的需求

国家知识产权局信息显示，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司申请一项名为“一种晶圆离子注入终端装置”的专利，公开号CN121310961A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明申请涉及一种晶圆离子注入终端装置，属于半导体制造技术领域，晶圆离子注入终端装置包括：晶圆载盒，第一机械手，预真空腔，第二机械手，真空传输腔，真空工艺腔和束流管道；第一机械手将晶圆载盒中晶圆传输至预真空腔；第二机械手位于真空传输腔，第二机械手将预真空腔中晶圆传输至真空工艺腔，预真空腔连接真空传输腔，真空工艺腔连接束流管道和真空传输腔，束流管道约束和引导离子束。本发明申请的晶圆离子注入终端装置整体结构紧凑，自动化程度高，能够满足晶圆离子注入工艺的需求。

天眼查资料显示，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本7022.63万人民币。通过天眼查大数据分析，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司参与招投标项目334次，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可33个。

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