杰平方申请碳化硅器件制造方法专利，实现工艺简化

国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“碳化硅器件的制造方法”的专利，公开号CN121335428A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅器件的制造方法，在形成体区和源区之后，先执行退火工艺，以激活体区和源区中的离子；然后，在碳化硅外延层上形成图形化的层间介质层，图形化的层间介质层中具有一开口，开口对准相邻的两个源区之间的体区和碳化硅外延层；接着，以图形化的层间介质层为掩膜，对开口底部的体区和碳化硅外延层进行第二导电类型的离子注入，以形成接触区，接触区位于相邻的两个源区之间且与源区相接触。如此，即可利用图形化的层间介质层作为接触区离子注入的掩膜，由此可节省一层掩膜，从而可实现工艺简化，并节省了工艺时间和工艺成本。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息76条，此外企业还拥有行政许可2个。

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