武汉新芯申请半导体器件制作方法专利，抑制栅极凹槽区域负载效应

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN121357979A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。所述制作方法中，形成具有不同横截面面积的栅极凹槽，在横截面面积较小的第一栅极凹槽中形成较低沉积温度的第一金属层，在横截面面积较大的第二栅极凹槽中先形成第一金属层，再形成较高沉积温度的第二金属层，第二金属层的致密程度更高，在进行平坦化工艺时，可以抑制第二栅极凹槽区域的负载效应，使得第一栅极凹槽内形成的第一金属栅极的上表面和第二栅极凹槽内形成的第二金属栅极的上表面的高度一致性好，便于在确保金属栅极之间不会短路的同时，避免部分金属栅极上表面过低，扩大该平坦化工艺的工艺窗口。所述半导体器件的形成可以采用上述制作方法，具有相似的优点。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1802条，此外企业还拥有行政许可106个。

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