重庆万国半导体科技申请导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法专利，可降低器件的制造成本

国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法”的专利，公开号CN121357918A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法，制作方法包括：在所述N型衬底上外延生长第一N型外延层；在所述第一N型外延层的表面注入形成间隔分布的多个P型逆转区；在所述第一N型外延层上外延生长第二N型外延层；完成器件的后续制作工艺。本发明中，通过在温度系数逆转区域形成间隔分布的多个较浓p型掺杂的P型逆转区，可以提高器件导通压降的正温度系数，降低器件的制造成本。

天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可19个。

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