浙江驰拓科技申请磁性隧道结及其参考层和SOT-MRAM专利，提高磁性隧道结的磁阻率

国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“磁性隧道结及其参考层和SOT-MRAM”的专利，公开号CN121358166A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种磁性隧道结及其参考层和SOT‑MRAM，其中磁性隧道结参考层包括：铁磁结构层；铁磁结构层包括至少一个堆叠层单元，堆叠层单元包括第一增强层、基础参考层和第二增强层中的至少两种；第一增强层中含有铁元素，第二增强层中含有钴元素，所述铁磁结构层中的各相邻层间相互铁磁耦合。本发明能够提高磁性隧道结的磁阻率。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目99次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息470条，此外企业还拥有行政许可8个。

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