中科晶禾取得用于超原子束源选型的磁阵列降温装置专利，能够提高筛选工艺的效果

国家知识产权局信息显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司取得一项名为“用于超原子束源选型的磁阵列降温装置”的专利，授权公告号CN223816340U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体材料加工技术领域，公开了一种用于超原子束源选型的磁阵列降温装置，包括冷却腔体和外壳，冷却腔体包裹在磁阵列的外周，且冷却腔体的内部填充有冷却介质，在外壳与磁阵列之间设置有冷却腔体作为散热层结构，能够针对在筛选工作中的磁阵列及时进行降温；外壳套设在冷却腔体的外周，能够限制冷却腔体与磁阵列在沿选型通道的延伸方向的相对位置，稳定降温装置的安装结构。该用于超原子束源选型的磁阵列降温装置能够提高筛选工艺的效果，并保护磁筛选结构的使用寿命。

天眼查资料显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司，成立于2020年，位于天津市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本552.8571万人民币。通过天眼查大数据分析，天津中科晶禾电子科技有限责任公司参与招投标项目63次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息97条，此外企业还拥有行政许可7个。

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