武汉新芯申请三维堆叠硅光芯片专利，有效减小产品体积

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“硅光芯片结构、三维堆叠硅光芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121348506A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供一种硅光芯片结构、三维堆叠硅光芯片及其制备方法。该硅光芯片结构包括：衬底；器件层，形成在衬底上，器件层包括半导体器件；第一光互连结构，与半导体器件连接，并沿硅光芯片结构的层叠方向延伸至硅光芯片结构的正面或背面；其中，在硅光芯片结构与另一硅光芯片结构键合时，硅光芯片结构中的第一光互连结构被配置为与另一硅光芯片结构中的第一光互连结构彼此互连。该硅光芯片结构采用三维堆叠键合的方式实现两个硅光芯片结构之间的互连通信，有效减小了产品体积，提升了产品集成度；且缩短了两个硅光芯片结构的互连距离，降低了工艺难度。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1803条，此外企业还拥有行政许可106个。

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