驰拓科技申请存储芯片结构及其制备方法专利，解决因逻辑区金属互连高度高导致的工艺可靠性风险问题

国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“存储芯片结构及其制备方法”的专利，公开号CN121368134A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种存储芯片结构及其制备方法。该存储芯片结构包括基底，基底具有第一表面；阵列区，阵列区包括第一连接线，磁性隧道结、顶部电极、第一连接部和位线，其中，第一连接线设置在第一表面上，磁性隧道结设置在第一连接线背离基底一侧，位线设置在第一表面上，位线与第一连接线相邻设置，第一连接部设置在位线背离基底一侧，磁性隧道结与第一连接部通过顶部电极连接。该存储芯片解决了相关技术中存储芯片制备过程中芯片光罩数量多，加工步骤多，制造成本高的问题，同时，也解决因逻辑区的金属互连高度高，导致金属填充工艺窗口较窄，存在工艺可靠性风险的问题。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目99次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息474条，此外企业还拥有行政许可8个。

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