青禾晶元申请双层光学压电薄膜复合衬底专利，跨越式提升光电子器件光传输性能

国家知识产权局信息显示，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司申请一项名为“一种双层光学压电薄膜复合衬底及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121419547A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种双层光学压电薄膜复合衬底及其制备方法和应用，所述双层光学压电薄膜复合衬底包括基板以及设置在所述基板上的压电衬底层；所述压电衬底层包括依次层叠设置的第一压电薄膜层和第二压电薄膜层，且所述第一压电薄膜层和所述第二压电薄膜层的极性相反；通过室温表面活化键合技术将两层光学压电薄膜堆叠，利用层间耦合效应跨越式提升了以其为基底的光电子器件的光传输性能，降低了能耗，且降低了器件系统的复杂度和制备成本。

天眼查资料显示，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司，成立于2021年，位于晋城市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300万人民币。通过天眼查大数据分析，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司参与招投标项目3次，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可6个。

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