上海富乐华半导体科技申请8um伊文箔材及其制备方法专利，稳定、量产3.8um伊文箔材

国家知识产权局信息显示，上海富乐华半导体科技有限公司申请一项名为“8um伊文箔材及其制备方法”的专利，公开号CN121428348A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种厚度3.8um伊文箔材及其制备方法，包括如下重量百分比的化学成分：C：0.025％、Si：小于0.05％、Mn：1.5％、P：小于0.01％、S：0.001％、Cr：22％、Al：3.5％、Cu：2.7％、余量为Ni。工艺流程如下：步骤一、开料；步骤二、一轧；压力为11000kg，前张力为370kg，后张力为165kg；步骤三、超薄修边；采用刀片倒角为10°的刀片；步骤四、精轧；压力为950kg，前张力为230kg，后张力为120kg；步骤五、多重清洗；步骤六、真空热处理；步骤七、倒料；步骤八、检验；步骤九、包装出货。通过精密冷轧、真空退火、超薄切边、多重清洗等工艺，稳定、量产3.8um伊文箔材。

天眼查资料显示，上海富乐华半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事金属制品业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海富乐华半导体科技有限公司参与招投标项目8次，专利信息110条，此外企业还拥有行政许可35个。

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