济南晶正电子科技申请复合薄膜制备方法专利，显著减小衬底与薄膜层之间的高度差

国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“一种复合薄膜的制备方法”的专利，公开号CN121443047A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种复合薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：准备衬底和薄膜基板，其中，衬底和薄膜基板的键合面均包括内部区域和边缘区域；对薄膜基板和或衬底的键合面边缘区域进行挖槽处理以形成凹槽，所述凹槽处为非键合区；对薄膜基板的键合面进行离子注入，得到自键合面起依次层叠薄膜层、注入层和余料层的功能注入片；其中，当挖槽处理对象包含薄膜基板时，所述离子注入的深度不超过薄膜基板上凹槽的深度；将衬底与功能注入片通过键合面进行键合，得到键合体；对键合体进行退火处理，使得注入层断裂，内部区域功能注入片的薄膜层转移到衬底上，形成包括衬底和薄膜层的复合薄膜。本发明通过预先在薄膜基板边缘挖槽形成非键合区，有效消除了键合体边缘的弱键合区域，从而显著减小了衬底与薄膜层之间的高度差，避免了器件边缘异色和翘曲缺陷。

天眼查资料显示，济南晶正电子科技有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2934.7324万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶正电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目99次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息215条，此外企业还拥有行政许可22个。

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