芯联动力科技申请外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法专利，有效提升二维电子气浓度和迁移率

国家知识产权局信息显示，芯联动力科技（绍兴）有限公司申请一项名为“外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN121442750A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及一种外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法；其中，外延结构包括：由第一外延层和第二外延层组成的异质结叠层；第二外延层在第一外延层上外延生长而形成；第二外延层为InxAlyGa1-x-yN层，第一外延层为AlzGa1-zN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y≤1；第一外延层和第二外延层之间形成有二维电子气；第一外延层和第二外延层之间还设置有插入层，插入层为InaAlbGa1-a-bN层，其中，0≤a≤1，0≤b≤1，且a+b≤1；插入层用于提升二维电子气的浓度和迁移率。

天眼查资料显示，芯联动力科技（绍兴）有限公司，成立于2023年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本67820.2285万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联动力科技（绍兴）有限公司参与招投标项目5次，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可3个。

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