乃尔电子申请硅压阻式压力芯片及传感器专利，减少芯片非线性输出

国家知识产权局信息显示，厦门乃尔电子有限公司申请一项名为“硅压阻式压力芯片及传感器”的专利，公开号CN121430898A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种硅压阻式压力芯片及传感器，其中，硅压阻式压力芯片包括感误差惠斯特电桥、感压惠斯特电桥和压力膜片，所述感误差惠斯特电桥和所述感压惠斯特电桥均由四个压敏电阻构成；所述感误差惠斯特电桥和所述感压惠斯特电桥均设置在所述压力膜片上，且所述感误差惠斯特电桥靠近膜片中心设置，所述感压惠斯特电桥靠近膜片边缘设置；由此，通过在膜内形成双惠斯特电桥，一组位于膜片内的高应力区域，一组位于膜片内的0应力区域，从而减少芯片本身由于膜片的非线性形变等因素产生的非线性输出，并进行温度补偿。

天眼查资料显示，厦门乃尔电子有限公司，成立于2010年，位于厦门市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本26135.6592万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门乃尔电子有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目139次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息289条，此外企业还拥有行政许可21个。

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