西安奕斯伟申请半导体衬底制备方法专利，在硅基板表面形成具有预定尺寸的形核位点

国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“半导体衬底及其制备方法”的专利，公开号CN121463792A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开提供了半导体衬底及其制备方法，所述制备方法包括：对掺杂氮元素的硅基板进行热处理，使所述硅基板中的氮元素向所述硅基板的表面扩散，以由所述氮元素在所述硅基板的所述表面形成具有预定尺寸的形核位点；在所述形核位点上生长多晶硅薄膜，以形成半导体衬底。

天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目7次，专利信息1508条，此外企业还拥有行政许可24个。

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