中欣晶圆申请轻掺硼衬底高阻外延片生产方法专利，保证生产质量的稳定性

国家知识产权局信息显示，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种轻掺硼衬底高阻外延片的生产方法及系统”的专利，公开号CN121451286A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种轻掺硼衬底高阻外延片的生产方法及系统，属于生产控制技术领域，该方法包括：基于废气离子浓度计算废气残留指数，若连续多个废气残留指数出现异常时，更新分层状态观测器的模型参数，否则将在线监测数据输入至分层状态观测器中，获得晶圆生长过程中电阻率的实时分布及不确定性分布；设置期望状态演化轨迹，期望状态演化轨迹包括电阻率在每个预设时间的理想分布矩阵，基于实时分布和理想分布矩阵计算误差分布；基于模糊推理模型处理误差分布和不确定性分布获得调整指令，基于调整指令调整生产工艺参数；同时基于平均质量误差生成下一批次的期望状态演化轨迹。通过本发明可以保证生产质量的稳定性。

天眼查资料显示，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本250000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目22次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。