武汉新芯申请半导体器件及制造方法专利，提升半导体器件的散热效果

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121487574A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，包括：基板，包括第一区域和第二区域，第一区域形成有连接结构，第二区域形成有散热结构，散热结构包括多个散热层、间隔以及填充于间隔的导热材料，其中，在平行于基板表面方向上，间隔位于相邻的散热层之间。即本申请中，在基板的第一区域形成连接结构，并在基板的第二区域形成散热结构，进而使得形成在第二区域的散热结构可以与后续形成的芯片接触，进而对芯片进行散热，提升半导体器件的散热效果，进而提升半导体器件的性能。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1825条，此外企业还拥有行政许可106个。

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