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南京宽能半导体申请基于多光源协同的半透明SiC片缺陷检测系统及方法专利,为后续的质量管控与处理提供可靠依据
市场资讯 2026-02-11 20:30:36
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国家知识产权局信息显示,南京宽能半导体有限公司申请一项名为“基于多光源协同的半透明SiC片缺陷检测系统及方法”的专利,公开号CN121502381A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明公开了基于多光源协同的半透明SiC片缺陷检测系统及方法,涉及产品缺陷分析技术领域,将光源分为模板光源和非模板光源,调用光源检测的SiC片特征,建立模板光源数据库,基于模板光源数据库分析模板光源对可用光源的限制条件,根据限制条件建立限制特征范围数据库,接收对当前批次SiC片的缺陷检测任务时,判断模板光源与当前批次SiC片的匹配关系,根据匹配关系获得当前批次SiC片的待选光源,考虑历史缺陷误判率选择检测光源,不存在当前批次SiC片的待选光源时,考虑当前批次SiC片的特征与模板光源的匹配程度选择检测光源,本发明通过基于实际检测效果动态选择最优光源,为后续的质量管控与处理提供可靠依据。
天眼查资料显示,南京宽能半导体有限公司,成立于2021年,位于南京市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本268.1754万人民币。通过天眼查大数据分析,南京宽能半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目11次,财产线索方面有商标信息3条,专利信息12条,此外企业还拥有行政许可12个。
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