武汉新芯申请半导体器件及制造方法专利，提升散热效果

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121510982A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，包括：第一基板，第一基板第一区域和第二区域形成有第一键合结构；第一晶粒，包括第一衬底、形成于第一衬底的第一有源器件和第二键合结构，并通过第二键合结构键合至第一区域的第一键合结构；第二晶粒，包括第二衬底、深沟槽电容、导电插塞和第三键合结构，深沟槽电容形成于第二衬底，导电插塞贯穿第二衬底，第三键合结构分别与深沟槽电容、导电插塞电连接，第二晶粒通过第三键合结构键合至第二区域的第一键合结构；第二基板，位于第一衬底与第二衬底远离第一基板一侧；即本申请中，在第二晶粒形成深沟槽电容和导电插塞，并覆盖第二基板，以减少电磁能量干扰，提升散热效果，提升器件性能。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1825条，此外企业还拥有行政许可106个。

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