中欣晶圆申请提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法专利，显著提高轻掺硼晶体内的BMD缺陷密度

国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“用于提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法及单晶硅棒”的专利，公开号CN121496554A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供的用于提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法及单晶硅棒，属于单晶硅拉晶技术领域，在预定热场进行晶棒拉制，以改变热场内的温度梯度，增加BMD成核温度的区间长度，并在拉晶过程中，调整晶转、埚转、拉速以提高晶棒内间隙氧及空位的浓度及分布均匀性，因此，本发明预先提高晶棒内间隙氧及空位的浓度及分布均匀性，以为BMD成核提供充足原料，然后再改变热场内的温度梯度，增加BMD成核温度的区间长度，以促进间隙氧与空位生成BMD，进而通过预定热场与晶转、埚转、拉速协同作用显著提高轻掺硼晶体内的BMD缺陷密度。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息375条，此外企业还拥有行政许可25个。

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