三星披露下一代HBM路线图，cHBM性能提升2.8倍，2026年HBM销售规模将增长超三倍

三星电子在刚刚宣布HBM4量产的基础上，进一步披露了面向数据中心的下一代HBM技术路线图，计划研发cHBM和zHBM两款全新高带宽存储芯片。2月11日，在首尔COEX举办的SEMICON Korea 2026大会上，三星电子设备解决方案（DS）事业部总裁兼首席技术官宋在赫发表主题演讲，系统介绍了公司未来HBM技术的演进方向。宋在赫表示："随着人工智能从智能体AI向物理AI发展，工作负载将大幅增加，三星正在开发能够显著降低内存带宽限制的技术。"

根据三星公布的路线图，cHBM为定制化HBM架构，核心思路是让HBM堆叠中的Base Die（基础芯片）承担一部分原本由GPU负责的计算任务。宋在赫强调，cHBM的开发目标是在功耗与定制HBM保持一致的前提下，实现2.8倍的性能提升。这意味着存储芯片不再仅仅充当数据搬运的角色，而是开始分担部分计算功能，从而有效缓解GPU与存储之间的数据传输瓶颈。

另一款zHBM则采用了不同的技术路径。宋在赫透露，zHBM将采用晶圆对晶圆键合技术替代传统的芯片对芯片键合方式，以实现更高的带宽和功率效率。不过三星尚未公布zHBM的详细规格参数。

值得注意的是，三星此番公布新HBM路线图的时间节点颇为关键。就在同一周，三星宣布已正式启动HBM4的量产并向客户交付商用产品，成为业内首家实现HBM4商业化交付的企业。三星HBM4采用第六代1c DRAM制程结合4nm逻辑制程，稳定处理速度达到11.7Gbps，最高可扩展至13Gbps，单堆栈内存带宽最高达3.3TB/s，较上一代HBM3E提升2.7倍。

宋在赫在演讲中还强调，三星是唯一一家同时涵盖存储芯片、晶圆代工和封装的IDM集成制造商，计划通过设计、工艺、存储和封装的集成解决方案引领技术发展。三星预计2026年HBM销售规模将较2025年增长超过三倍，HBM4E样品预计于2026年下半年启动送样，定制HBM样品将于2027年根据客户规格陆续交付。

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