天科合达申请石墨坩埚及液相法碳化硅长晶炉专利，提高了碳化硅单晶的生长质量

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司申请一项名为“一种石墨坩埚及液相法碳化硅长晶炉”的专利，公开号CN121496549A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种石墨坩埚及液相法碳化硅长晶炉，涉及碳化硅长晶技术领域。通过沿坩埚本体的内壁设置阶梯结构，且在凹槽的底面设置层叠结构，在石墨坩埚的侧壁和底部形成与溶液接触的台阶形状，增加了溶液与石墨坩埚之间的接触面积，提高了炭的溶解速度和炭输送效率，降低了炭的传输距离，即便在较低温度下，碳化硅晶体生长也可以获得充足的炭源，提高了碳化硅单晶的生长质量。阶梯结构和层叠结构所呈现的形状，使得石墨坩埚形成了与溶液接触的W形状，多级内壁台阶和多级底面台阶的分布方式与溶液的液流方向相反，从而使得溶液对石墨坩埚的内壁冲击更强，进一步提高了炭溶解效率和炭输送效率，还抑制了碳化硅多晶在石墨坩埚底部的沉积。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目313次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息244条，此外企业还拥有行政许可149个。

江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目93次，专利信息140条，此外企业还拥有行政许可27个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。