中科晶禾申请真空键合设备和真空键合方法专利，能满足半导体材料间高精度对准键合

国家知识产权局信息显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请一项名为“真空键合设备和真空键合方法”的专利，公开号CN121511009A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明属于半导体键合技术领域，公开一种真空键合设备和真空键合方法。真空键合设备包括第一键合模组和第二键合模组，第一键合模组的第一压头设置于第一真空腔室内；第二键合模组的安装基板能够与压机的输出端连接，波纹管的一端与安装基板或压机输出端连接，波纹管的另一端与第二真空腔室的顶壁连接，第二压头配置于第二真空腔室内，传力柱的一端与安装基板或压机输出端连接，传力柱的另一端依次穿设于波纹管和第二真空腔室的顶壁并与第二压头连接；压机能够带动第二键合模组沿第一方向靠近第一键合模组。本发明键合腔室结构紧凑，易维持真空度与洁净度，能满足半导体材料间高精度对准键合。

天眼查资料显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司，成立于2020年，位于天津市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，天津中科晶禾电子科技有限责任公司参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可7个。

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