上海富乐华半导体科技申请带有阻拦坝的覆铜陶瓷基板母版结构专利，防止缺口附近铜层过度腐蚀

国家知识产权局信息显示，上海富乐华半导体科技有限公司申请一项名为“带有阻拦坝的覆铜陶瓷基板母版结构及其防过度腐蚀方法”的专利，公开号CN121510451A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开带有阻拦坝的覆铜陶瓷基板母版结构及其防过度腐蚀方法。带有阻拦坝的覆铜陶瓷基板母版结构，包括覆铜陶瓷基板本体、横向工艺边以及纵向工艺边，覆铜陶瓷基板本体的上下两侧的外边缘设置有横向工艺边，覆铜陶瓷基板本体的左右两侧的外边缘设置有纵向工艺边，其特征在于，横向工艺边的两端通过两条左右并排设置的阻拦坝与相邻的纵向工艺边的端部相连；阻拦坝的宽度根据工艺边厚度调整；阻拦坝的两侧与纵向工艺边的左右两侧存有间隙。本申请在工艺边缺口处设计阻拦坝，实现在腐蚀过程中阻碍药水交换，减缓流速，防止缺口附近铜层过度腐蚀；在腐蚀完成后，阻拦坝被完全腐蚀掉，露出瓷片表面，便于后工序的切割和分板。

天眼查资料显示，上海富乐华半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事金属制品业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海富乐华半导体科技有限公司参与招投标项目8次，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可36个。

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