浙江晶越半导体申请引入二氧化硫的氧化镓晶体处理方法专利，能有效调控晶体的氧分压并获得稳定的氧化镓晶体

国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“引入二氧化硫的氧化镓晶体处理方法、晶体及器件”的专利，公开号CN121519175A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，引入二氧化硫的氧化镓晶体处理方法、晶体及器件，属于半导体材料处理技术领域。该处理方法为：在惰性气体存在的环境下，采用二氧化硫作为氧分压的调控源对氧化镓晶体进行退火处理；退火处理中的温度范围为：600~1100℃、二氧化硫在气氛中的体积占比为：0.01~5%。该处理方法引入的SO2作为氧分压的调控源，能有效调控晶体的氧分压并获得稳定的氧化镓晶体。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可7个。

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