中欣晶圆申请改善LTO膜外观良率的可靠性工艺专利，能有效去除硅片表面的颗粒和金属杂质

国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺”的专利，公开号CN121568529A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及硅片加工技术领域，具体涉及改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺，包括：在片盒内装入待SC‑1清洗的硅片，将NH4OH、H2O2和H2O的混合液注入片盒内，对硅片进行SC‑1清洗，以去除硅片表面的颗粒和金属杂质；将SC‑1清洗后的硅片在片盒内进行水洗；将水洗后的硅片在片盒内进行甩干；将甩干后的硅片在片盒内进行存储。本发明将SC‑1清洗、水洗、甩干和存储集成在片盒内完成，减少了硅片在工艺过程中的转移次数，降低了硅片被污染和损伤的风险，提高了LTO膜的外观良率。

天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本523559.0107万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息410条，此外企业还拥有行政许可22个。

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