芯粤能半导体申请半导体结构及其制备方法专利，提升了结构的短路承受能力

国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121604456A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。相对于传统的半导体结构，本申请将源区划分为三个子区，并在第二方向上，在第一子区与第二子区之间以及第二子区与第三子区之间，设置第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度小于源区的掺杂浓度，且在垂直于衬底的方向上，第二掺杂区的掺杂高度小于源区的掺杂高度，当半导体结构短路时，第二掺杂区的设置相当于在半导体结构中引入了电阻，提升了结构的短路承受能力，减小了结构损害的可能。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可100个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。