天科合达申请碳化硅单晶制备方法专利，得到贯穿螺位错缺陷密度显著低于籽晶的碳化硅单晶

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅单晶及其制备方法”的专利，公开号CN121610900A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅单晶及其制备方法。本发明提供了一种碳化硅单晶的制备方法，包括以下步骤：S1、将碳化硅粉料装填至坩埚底部，进行振实处理；将碳化硅籽晶固定于坩埚盖顶部的籽晶托上，采用等离子体对碳化硅籽晶生长面进行清理和改性处理；S2、将坩埚与坩埚盖进行装配，组成生长坩埚；S3、将所述生长坩埚放置于碳化硅单晶生长炉中，生长碳化硅晶体，得到碳化硅单晶。本发明提供的制备方法可以有效抑制碳化硅单晶生长过程中籽晶贯穿螺位错的继承和增殖，从而得到贯穿螺位错缺陷密度显著低于籽晶的碳化硅单晶。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目305次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息248条，此外企业还拥有行政许可149个。

江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目91次，专利信息143条，此外企业还拥有行政许可27个。

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