芯粤能申请半导体功率器件及其制备方法专利，降低了拐角处的最大电场强度，显著提升了器件可靠性

国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN121619906A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，在该半导体功率器件中，由于栅极沟槽的深度大于源区的深度，且小于阱区的深度，使得形成的第一栅极部的拐角处被阱区包围，降低了拐角处的最大电场强度，显著提升了器件可靠性，另外，此时第一栅极部不仅在第一方向上形成了侧面导电沟道，而且还在阱区包围第一栅极部的拐角处形成了L型导电沟道，增加了导电沟道的密度，提高了器件的导通能力。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可100个。

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