中锗科技申请高均匀性磷化铟晶体生长方法专利，有效降低了磷化铟晶体的位错密度

国家知识产权局信息显示，中锗科技有限公司申请一项名为“一种高均匀性磷化铟晶体生长方法”的专利，公开号CN121610901A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高均匀性磷化铟晶体生长方法，在晶体生长阶段，进行如下操作：梯度降温控制：以 0.1‑0.3℃/h 的速率降低加热炉下区温度，上区温度保持 1070℃不变，形成自上而下的温度梯度，轴向温差控制在 10‑15℃/cm，诱导熔体从坩埚底部开始凝固；微弱磁场施加：在生长过程中，向熔体区域施加轴向微弱直流磁场，磁场强度控制在 0.1‑0.2T，通过洛伦兹力抑制熔体自然对流，稳定固液界面；界面监测：通过炉体侧面的红外测温仪实时监测固液界面温度，当界面温度偏离 1070±0.5℃时，自动调整下区降温速率，确保界面呈水平状态；所得高均匀性磷化铟晶体的位错密度≤10cm⁻²；径向电阻率波动≤3%；纯度≥99.9999%。本发明有效降低了磷化铟晶体的位错密度，减小了径向电阻率波动，提升了均匀性。

天眼查资料显示，中锗科技有限公司，成立于2012年，位于南京市，是一家以从事金属制品业为主的企业。企业注册资本22033.8984万人民币。通过天眼查大数据分析，中锗科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可47个。

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