华虹宏力申请半导体结构及其形成方法专利，提升半导体结构的性能

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121619922A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的第一环状隔离结构以及第一外延层；位于所述衬底上且形成在所述第一外延层内的第二环状隔离结构；至少部分位于所述第二封闭环状内部衬底内的第一埋层，以及至少部分位于所述第二封闭环状外部衬底内的第二埋层；位于所述第一埋层下方的第一掺杂层，以及位于所述第二埋层下方的第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层具有间隔；其中，所述第一掺杂层及所述第二掺杂层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相同，且第一掺杂层及所述第二掺杂层的离子掺杂浓度大于所述衬底的离子掺杂浓度。采用上述方案，可以提升半导体结构的性能。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2939次，专利信息1989条，此外企业还拥有行政许可117个。

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