清研电子申请导电底涂材料及其制备方法专利，界面接触阻抗（Rct）得到了显著的降低

国家知识产权局信息显示，深圳清研电子科技有限公司申请一项名为“导电底涂材料及其制备方法、集流体以及储能器件”的专利，公开号CN121641984A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种导电底涂材及其制备方法、集流体以及储能器件，导电底涂材料包括具有一维直通孔道的骨架材料以及结合在骨架材料的孔道和/或表面的聚3,4‑乙烯二氧噻吩衍生物层；骨架材料的孔道内和/或表面带有氨基，聚3,4‑乙烯二氧噻吩衍生物层为3,4‑乙烯二氧噻吩的醛基衍生物通过限域原位氧化聚合后形成的附着在骨架材料的孔道内和/或表面，聚3,4‑乙烯二氧噻吩衍生物层中的醛基与骨架材料中的氨基通过席夫碱反应形成C=N共价键；骨架材料为离子导电相，聚3,4‑乙烯二氧噻吩衍生物层为电子导电相。结合具体实施例，本发明的导电底涂材料应用于集流体的底涂层，采用该集流体的电极片/电池中，界面接触阻抗（Rct）得到了显著的降低。

天眼查资料显示，深圳清研电子科技有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事租赁业为主的企业。企业注册资本1481.62099万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳清研电子科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可11个。

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