清研电子申请导电底涂材料及其制备方法专利，起到显著降低界面阻抗与扩散阻抗的作用

国家知识产权局信息显示，深圳清研电子科技有限公司申请一项名为“导电底涂材料及其制备方法、集流体以及储能器件”的专利，公开号CN121641983A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种导电底涂材及其制备方法、集流体以及储能器件，导电底涂材料包括多孔材料以及3,4‑乙烯二氧噻吩通过限域原位氧化聚合后形成的附着在多孔材料的孔道内和/或表面的聚3,4‑乙烯二氧噻吩层，聚3,4‑乙烯二氧噻吩层与多孔材料之间通过强相互作用连接，多孔材料为离子导电相，聚3,4‑乙烯二氧噻吩层为电子导电相。本发明的导电底涂材料中，3,4‑乙烯二氧噻吩（EDOT）单体进入多孔材料的孔道和/或表面，限域原位聚合后形成附着在多孔材料的孔道内和/或表面的聚3,4‑乙烯二氧噻吩（PEDOT）网络，形成具有连续的电子传输通道和连续的离子传输通道的三维网路，从而起到显著降低界面阻抗与扩散阻抗的作用。

天眼查资料显示，深圳清研电子科技有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事租赁业为主的企业。企业注册资本1481.62099万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳清研电子科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可11个。

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