天科合达申请碳化硅单晶生长坩埚专利，有利于调整晶体面型，减少晶体相变

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司;深圳市重投天科半导体有限公司申请一项名为“用于碳化硅单晶生长的坩埚、装置和生长碳化硅单晶的方法”的专利，公开号CN121629504A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种用于碳化硅单晶生长的坩埚，包括坩埚盖和坩埚体，所述坩埚盖的上表面侧设置有凹槽，所述凹槽的一端至另一端向所述坩埚盖的下表面侧逐渐倾斜，且所述坩埚盖的下表面固定有碳化硅籽晶晶片，至少碳化硅籽晶晶片部分在所述凹槽的倾斜面对应的区域内。本申请还提供了一种用于碳化硅单晶生产的装置。进一步的，本申请还提供了一种生长碳化硅单晶的方法。本发明提供的坩埚通过在坩埚盖上表面侧开设具有倾斜面的凹槽，增大了径向温度梯度，降低了生长面的温度，有利于调整晶体面型，减少晶体相变；且该坩埚盖结构简单，适用性广，可实现不同尺寸、不同晶型的高质量单晶的生长。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目308次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息251条，此外企业还拥有行政许可149个。

深圳市重投天科半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本220000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市重投天科半导体有限公司参与招投标项目63次，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可119个。

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