致晶科技申请一种量子点分散液的制备方法及在光刻图案化中的应用专利，可实现量子点在PGMEA等光刻胶溶剂中的高浓度、高PLQY、稳定分散

国家知识产权局信息显示，北京航空航天大学合肥创新研究院;致晶科技（北京）有限公司申请一项名为“一种量子点分散液的制备方法及在光刻图案化中的应用”的专利，公开号CN121628612A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种量子点分散液的制备方法及在光刻图案化中的应用，属于显示技术领域。量子点分散液的制备方法，将量子点、改性PEG和光刻胶溶剂混合，反应，添加第二配体继续反应，得到所述量子点分散液；所述改性PEG含有与量子点表面有相互作用力的基团，包括配位作用、氢键作用、范德华力作用中的一种；所述第二配体含配位基团和酸性基团，其中酸性基团选自羧基、酚羟基、磺酸基、巯基中的一种。该方法可实现量子点在PGMEA等光刻胶溶剂中的高浓度、高PLQY、稳定分散；该方法简单，无需后续清洗工作；通过第二配体的添加，引入酸性配体与改性PEG配合，可以调节量子点分散液的酸值，可使其在后续光刻中显影干净无残留。

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