龙知远科技申请锑化铟芯片铍离子注入与快速热退火损伤修复方法及系统专利，实现晶格损伤的高效修复

国家知识产权局信息显示，北京龙知远科技发展有限公司申请一项名为“锑化铟芯片铍离子注入与快速热退火损伤修复方法及系统”的专利，公开号CN121646288A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种锑化铟芯片铍离子注入与快速热退火损伤修复方法及系统，涉及半导体材料技术领域，包括通过对铍离子注入后的芯片进行深度损伤检测，基于损伤分布数据确定深度层结构，生成缺陷分布图谱，计算湮灭激活能，建立温度阶段序列，结合能量间隔生成分段快速热退火曲线，并在热处理过程中监测表面电阻率信号和反射率信号，调整温度阶段终止时间，施加补偿热处理，实现晶格损伤的高效修复，提高掺杂均匀性和芯片稳定性。

天眼查资料显示，北京龙知远科技发展有限公司，成立于2015年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3941.9586万人民币。通过天眼查大数据分析，北京龙知远科技发展有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可2个。

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