锡产微芯申请屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法专利，有效提高左右结构的SGT结构的耐压

国家知识产权局信息显示，无锡锡产微芯半导体有限公司;江苏中科君芯科技有限公司申请一项名为“屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121645954A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法，尤其是一种屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种屏蔽栅功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：半导体基板；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列分布的SGT元胞，且SGT元胞内的SGT结构采用左右结构，其中，所述SGT元胞内包括竖直分布于元胞沟槽内的屏蔽栅，所述屏蔽栅包括屏蔽第一单元体以及与所述屏蔽第一单元体相互连接的屏蔽第二单元体，在所述SGT元胞的截面上，屏蔽第一单元体与屏蔽第二单元体间的接触连接形成T型状。本发明能有效提高左右结构的SGT结构的耐压，与现有工艺兼容，安全可靠。

天眼查资料显示，无锡锡产微芯半导体有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本309070.2287万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡锡产微芯半导体有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可15个。

江苏中科君芯科技有限公司，成立于2011年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2457.2463万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏中科君芯科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息5条，专利信息277条，此外企业还拥有行政许可19个。

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