盛吉盛申请能量源位置调节装置、磁铁装置、磁控溅射装置及方法专利，使得溅射的薄膜厚度更加均匀

国家知识产权局信息显示，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司申请一项名为“能量源位置调节装置、磁铁装置、磁控溅射装置及方法”的专利，公开号CN121653585A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明属于磁控溅射技术领域，提供能量源位置调节装置、磁铁装置、磁控溅射装置及方法，其中，所述能量源位置调节装置包括第一传动机构、第二传动机构、第三传动机构和第四传动机构：第一传动机构在一个方向上转动时，依次通过第二传动机构、第三传动机构与第四传动机构可转动连接；第一传动机构在另一个方向上转动时，通过第三传动机构与第四传动机构可转动连接；第四传动机构与能量源连接，将第一传动机构的转动转换为直线运动调节能量源的位置。本发明能够在磁控溅射薄膜沉积中调节磁场，使得溅射的薄膜厚度更加均匀。

天眼查资料显示，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司，成立于2018年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12463.7965万美元。通过天眼查大数据分析，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息58条，专利信息251条，此外企业还拥有行政许可13个。

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