济南晶正电子科技有限公司申请具有耦合端面区域的复合薄膜及制备方法专利，稳定高功率下的光耦合效率

国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“具有耦合端面区域的复合薄膜及制备方法”的专利，公开号CN121657209A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种具有耦合端面区域的复合薄膜及制备方法，所述具有耦合端面区域的复合薄膜包括：衬底；以及位于所述衬底上的单晶薄膜层，所述单晶薄膜层具有用于光信号耦合的耦合端面区域；其中，所述耦合端面区域是经过局部热学性能改性处理、并具有目标热导率的区域。所述复合薄膜通过对耦合端面区域进行局部热学性能改性，直接提升该区域的热导率，从而从源头抑制热透镜效应，稳定高功率下的光耦合效率。

天眼查资料显示，济南晶正电子科技有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2934.7324万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶正电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目95次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息218条，此外企业还拥有行政许可22个。

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