杰平方半导体申请碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法专利，产能高

国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法”的专利，公开号CN121666050A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法，属于半导体镀膜技术领域，该碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构，包括碳化硅衬底；无定形碳膜层，设置在所述碳化硅衬底的顶部，所述碳化硅衬底和所述无定形碳膜层之间还设置有第一氧化硅层，用于保护所述碳化硅衬底；第二氧化硅层，设置在所述无定形碳膜层的顶部。通过使用无定形碳掩膜作为硬掩膜层的主体结构，来对碳化硅衬底进行离子掺杂，具有产能高、成本低、无需新增工艺机台且选择比高的优点。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可2个。

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