科阳半导体申请硅基LED器件分离芯片方法专利，将芯片良品率提升至98％以上

国家知识产权局信息显示，苏州科阳半导体有限公司申请一项名为“一种基于硅基LED器件分离芯片的方法”的专利，公开号CN121665801A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种基于硅基LED器件分离芯片的方法，包括以下步骤S1～S7。本发明的一种基于硅基LED器件分离芯片的方法通过光刻与蚀刻工艺的协同设计，实现晶圆切割道的高精度图形化与深度控制，使单颗芯片在研磨减薄过程中沿预设路径自然分离。相较于传统机械裂片或激光切割工艺，该技术凭借微米级的蚀刻精度与无应力分离机制，可避免崩边、裂纹等外观缺陷及热效应导致的材料损伤，将芯片良品率提升至98％以上，尤其适用于Mini/Micro LED等高精度光电器件的规模化制造；本发明针对mini/microLED产品单片内的芯片数量在几万到几十万颗，大大提升作业效率和产能。

天眼查资料显示，苏州科阳半导体有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45505.3521万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州科阳半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目34次，财产线索方面有商标信息30条，专利信息238条，此外企业还拥有行政许可17个。

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