晶越半导体申请半绝缘碳化硅晶片退火装置及退火方法专利，实现大于1E12欧姆厘米电阻率的控制

国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种半绝缘碳化硅晶片退火装置及退火方法”的专利，公开号CN121653844A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及碳化硅晶片制备领域，尤其涉及一种半绝缘碳化硅晶片退火装置及退火方法，所述退火装置，包括可拆卸连接的坩埚盖以及石墨坩埚，所述石墨坩埚内部设置有一个退火腔室，所述退火腔室包括晶片支撑区与粉料区，还包括用于控制退火腔室内部气体成分以及压强的气压控制组件、用于对退火腔室进行分区加热的加热装置以及套设在坩埚盖与石墨坩埚外部的保温系统。通过本申请中的退火装置，能够有效解决碳化硅晶片本征点缺陷的筛选和浓度控制问题，使费米能级控制在EH6/7能级位置，使得退火得到的碳化硅晶片最终实现大于1E12欧姆厘米电阻率的控制。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可7个。

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