井芯微电子申请非重传控制方法专利，实现对特定错误报文的选择性非重传减少无效重传

国家知识产权局信息显示，井芯微电子技术（天津）有限公司申请一项名为“一种非重传控制方法、装置、通信系统和可读存储介质”的专利，公开号CN121664756A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及串行通信协议领域，提供一种非重传控制方法、装置、通信系统和可读存储介质。所述方法在RapidIO接收端VC0通道执行，通过设置包括缓存非重传使能标志和CRC非重传使能标志的非重传功能控制寄存器，并结合缓存管理模块和CRC校验模块，判定接收报文是否存在缓存不足错误或CRC错误。当仅存在缓存不足错误或仅存在CRC错误且对应非重传功能开启时，接收端返回控制符PA替代PR或PNA，丢弃该报文并保持端口正常接收；当检测到多种错误时，按标准RapidIO协议返回PR或PNA进行重传处理。本发明仅修改接收端逻辑，可按端口配置，实现对特定错误报文的选择性非重传，减少无效重传，缓解链路拥塞并提高时效性。

天眼查资料显示，井芯微电子技术（天津）有限公司，成立于2020年，位于天津市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本686.0743万人民币。通过天眼查大数据分析，井芯微电子技术（天津）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目56次，财产线索方面有商标信息19条，专利信息206条，此外企业还拥有行政许可2个。

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