稷以科技申请半导体刻蚀设备和方法专利，显著提升产能

国家知识产权局信息显示，上海稷以科技有限公司申请一项名为“一种半导体刻蚀设备和方法”的专利，公开号CN121693022A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种半导体刻蚀设备及方法。本发明提供的半导体刻蚀设备，包括真空腔室和温控系统：真空腔室内集成有低温反应区和高温挥发区，低温反应区位于真空腔室的底部，设有用于承载晶圆的载台，高温挥发区位于真空腔室的顶部，设有用于输送气体并实现加热的喷淋头；温控系统，用于将载台控制在第一温度区间以进行低温反应，用于将喷淋头控制在第二温度区间以进行高温处理；其中，载台上贯穿设置有升降机构，用于将晶圆在低温反应区与高温挥发区之间进行原位转移。本发明通过在单腔室集成低温反应区与高温挥发区，完全避免了等离子体损伤和腔室间转移，显著提升产能、改善刻蚀均匀性与选择比。

天眼查资料显示，上海稷以科技有限公司，成立于2015年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本475.5886万人民币。通过天眼查大数据分析，上海稷以科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目90次，财产线索方面有商标信息36条，专利信息161条，此外企业还拥有行政许可19个。

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