苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制造方法专利，实现增强型器件

国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121692692A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；钝化层，位于势垒层远离衬底一侧的非栅极区域；P型层，位于势垒层远离衬底一侧的栅极区域，且延伸至势垒层中；间隔层，至少位于P型层和钝化层之间。本公开延伸至势垒层中的P型层可以完全耗尽二维电子气，实现增强型器件，设于P型层和钝化层之间的间隔层可以避免钝化层中的Si扩散进入P型层中，提高P型层质量。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息330条，此外企业还拥有行政许可24个。

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