天科合达申请碳化硅单晶制备装置及方法专利，减少碳化硅晶体表面缺陷

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法”的专利，公开号CN121737849A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法，该制备装置包括坩埚和位于坩埚上方的籽晶托；坩埚包括由下至上分布的原料区、升华区和生长区，原料区用于放置碳化硅原料；籽晶托位于生长区的上方，籽晶托用于粘接籽晶，籽晶位于籽晶托和生长区之间；在籽晶托所在平面内，籽晶托包括第一部分和第二部分，第一部分被第二部分包围，在垂直籽晶托所在平面的方向上，第一部分具有第一厚度，第二部分具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。这样，第一部分的籽晶托相比第二部分能够具有更好的集热性，散热更差，使得热量能够在第一部分聚集，缩小第一部分和第二部分之间的径向温度梯度，进而减少碳化硅晶体表面缺陷，提高碳化硅质量。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目312次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息257条，此外企业还拥有行政许可149个。

江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目91次，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可27个。

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