济南晶正电子申请周期极化薄膜制备方法专利，可抑制反转畴横向展宽效应

国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“一种周期极化薄膜制备方法”的专利，公开号CN121763628A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体元件技术领域，提供了一种周期极化薄膜制备方法，包括：提供衬底层；在衬底层上形成隔离层，并对隔离层的含氧量进行调整；形成薄膜层并将薄膜层与隔离层键合；在薄膜层背离隔离层的一侧表面形成周期性排列的金属电极，以得到具有周期性排列的金属电极的薄膜结构；对具有金属电极的薄膜结构施以温度变化处理，得到具有周期性反转畴结构的周期极化薄膜。本申请提供的制备方法操作简便且成本低，并可抑制反转畴横向展宽效应。

天眼查资料显示，济南晶正电子科技有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2934.7324万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶正电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目96次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息217条，此外企业还拥有行政许可22个。

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